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至中国半导体制造进入阵营 还有多远?

发布时间:2021-09-08

中国半导体制造进入阵营 还有多远?

半导体行业判断阵营的标准是关键的技术节点,那末在核心技术上长时间滞后的中国半导体制造业要进入阵营,还有多远呢?

近日,台积电宣布已开始试产效能更强、功耗更低的16纳米升级版FinFET制程,将于2015年的第2季度提早量产,可望在今年年底前完成数10件设计定案。而此前,英特尔、3星早已前后宣布进入14纳米量产阶段。当都将眼光聚集在1x纳米制程的时候,中国大陆却恍如已游离在这个圈子以外。中国大陆大的半导体代工企业中芯国际,迟迟还没有传出进入28纳米量产的消息。这不由让人忧心,中国的IC制造如何才能重新跟上世界的先进步伐?

开始迈入1x纳米量产

英特尔是早进入1x纳米制程量产的,其应用的是14纳米的第2代FinFET技术。量产并没有初想象中的顺利 英特尔早期的14纳米工艺良率极低,迟迟未到达量产标准,经历了几次量产时间跳票。直到2014年8月,英特尔才宣布交付并量产了世界首款14纳米Broadwell处理器。自此,英特尔正式进入14纳米量产阶段。

继英特尔以后,顺利传出1x纳米量产消息的是3星。在2014年12月,3星半导体业务总裁金奇南宣布,3星14nmFinFET工艺进展顺利,已在投产客户芯片了。接着在今年的2月16日,3星正式公布了14纳米处理器量产的消息。受14纳米量产和良率的提高,3星前后抢下了苹果A9和高通的大定单。根据DIGITIMESResearch的预估,3星在2015年的市占率有可能到达10。

不甘示弱的台积电,也宣布将于今年第2季度量产16奈米FinFET强效版制程。而Globalfoundries已在2014年与3星达成策略结盟,拿到了3星14纳米技术授权,并可能于今年一样实现量产。

即便是还没有进入16纳米阶段的台联电,也在2014年年底进入了28纳米量产。其28纳米营收比重迅速爬升到了2014年第4季度营收的5,并预计在今年的第2季度进行第2代14纳米FinFET制程试产。

目前这些排在前面的代工厂都已进入28纳米量产,乃至是14/16纳米量产。虽然目前从行业来讲,并没有严格划分谁是阵营,但28纳米是1个技术比较关键的工艺点,可以以此划分。 半导体专家莫大康向《中国电子报》记者解释。

中国大陆什么时候重入阵营?

在2~3年前,中国大陆也曾进入过半导体制造的阵营。莫大康告知记者,当时业界对制造阵营的划分,是依照是不是具有12英寸晶圆厂的标准来判断的。以此判断,有3座12英寸晶圆厂傍身的中芯国际还处于阵营的范围内。

但是,到了现在,判断阵营的标准可能就变成了关键的 技术节点。 像28纳米制程,不是再光靠购买装备就可以实现。因此,也有很多大型的半导体公司从这个节点开始放弃,并选择代工,比如德州仪器、飞思卡尔等,这是的总趋这类电子万能实验机通常指自动上下料、自动引申计夹持的无人工参与全自动电子万能实验机.势。 莫大康补充道。

作为中国大陆大的代工企业,中芯国际必定是衡量中国半导体制造的标杆。通过跟高通的合作,中芯国际在2014年12月宣布成功制造出了28纳米的高通骁龙410处理器。虽然业界1直在传中芯国际在28纳米工艺上的成熟,但其28纳米的营收却迟迟没有在其财报中体现。对照一样传出量产消息、并实现5营收额的台联电,中芯国际的28纳米明显还没有真正实现量产。

武汉新芯副总李平向记者坦诚: 中国大陆集成电路制造工艺与世界先进工艺还落后2~3代的技术。 东电电子上海公司总裁陈捷也一样认为: 中国大陆半导体在2015年仍将继续处于中低端技术阵营。 从制造工艺的角度来看,中国大陆没法跟上工艺节点进步速度,明显已被隔离在阵营以外。

这样的结果跟研发投入有很大的关系。根据市场研究公司ICInsights在今年2月公布的报告,英特尔在2014年的研发投入高达115.37亿美元,3星则是21.65亿美元,台积电也有18.74亿美元的研发经费。

与此相比,中芯国际2014年的研发投入只有1.895亿美元,2013年的研发投入通过下降标准是1.45亿美元,2012年的时候稍多1些,超过了2亿美元。因此,技术差距的拉大是必定的。虽然这跟中芯国际保赢利、不主张积极投资的公司策略有1定关系,但也1定程度上反应了中国大陆IC制造的整体情况。

增加投入改良产业环境

中国大陆现已成为世界大的半导体市场,不论是出于国家自主可控的安全角度,还是出于民族产业的角度,中国大陆都必须加快弥补跟阵营的差距。

在2014年6月国务院印发的《国家集成电路产业发展推动纲领》中,早已给出了中国大陆集成电路制造的具体蓝图。到2015年,32/28纳米的制造工艺要实现范围量产。到2020年,16/14纳米的制造工艺要实现范围量产。

想要依照线路图,弥补上差距,重新进入半导体制造的阵营,莫大康表示,首先要看到产业的复杂性和困难性,改良产业环境;其次,必须要扩大研发投入,不要怕亏本。他向记者解释,半导体技术变化很快,依照摩尔定律来讲,两年就会向前进1个技术节点,如果没有办法跟上就会出局。

为了不出局,必须有大量的资金投入研发。依照花了7年时间在墨西哥东南部度假胜地坎昆沿岸的1个海湾里利用材料副总裁余定陆曾的说法,半导体制造在20纳米保温材料披上“防火外套”及以下制程时,资本密集度将大幅增长,从60纳米到20纳米,贮存器产业的资本将增加3.4倍,IC产业将增加4倍。

李平向记者指出,除资金外,还必须具有人材、知识产权两大要素。李平认为,国家和地方政府建立的专用于发展集成电路的基金,已解决了企业发展的建设基金问题。他希望国家的投资应当更多地偏向于解决知识产权积累,鼓励行业内人员进行攻关,缩短与国际先进工艺的差距,避免将大量的资金投在技术落后或正在成为落后的制造产能上。

陈捷则向记者表示,他认为要结合国际资源加快产业发展,避免重复技术研发及技术发展进程,还要欢迎国际资本和技术的进入,特别是鼓励海外公司技术入股,可以尝试混合所有制,加快中国大陆集成电路产业的发展。